10.3321/j.issn:1005-0086.2007.07.007
以ZnO为空穴缓冲层的高效率有机电致发光器件
研制了在传统双层有机电致发光器件(OLED) ITO/NPB/AlQ/Al的阳极与空穴传输层间加入ZnO缓冲层的新型器件.研究了加入缓冲层后对OLED性能的影响,并比较了新型与传统OLED的性能,结果表明,新型器件比传统器件的耐压能力有了显著提高;当电压达到7 V时,发光效率提高了35%.分析认为,ZnO缓冲层的加入,改善了界面, 减少了漏电流,并且阻碍了空穴的注入,有利于改善空穴和电子的注入平衡,提高复合效率.
有机电致发光器件(OLED)、ZnO缓冲层、发光效率、界面
18
TN383+.1(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314707;国家自然科学基金60476005;50532090
2007-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
785-787