反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响

摘要：

研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性.200 Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2 Ω·cm.实验中沉积的ZnO薄膜在600～2 600 nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降.

关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD)、ZnO薄膜、透明导电氧化物(TCO)、太阳电池

所属期刊栏目：18

分类号：TN304;O484.1(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB202602;2006CB202603;天津市自然科学基金043604911;天津市科技攻关项目043186511

在线出版日期：2007-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：763-766