生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性

摘要：

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响.结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降.

关键词：InGaN/GaN多量子阱(MQW)、光致发光(PL)、电致发光(EL)、X射线双晶衍射(DCXRD)、金属有机物化学气相淀积(MOCVD)

所属期刊栏目：18

分类号：TN303;TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60506012;北京市教委科研项目KZ200510005003;北京市属市管高等学校人才强教计划052002015200504

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：422-424