10.3321/j.issn:1005-0086.2007.04.003
氧化铁镍薄膜的制备与表征
首先提出射频反应磁控溅射中薄膜沉积速率同O2流量和溅射功率关系的理论计算模型;其次根据这一理论计算模型,在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射制备氧化铁镍薄膜;最后分别采用台阶仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、电子扫描镜(SEM)和电化学工作站对薄膜进行了表征,并分析了在制备过程中O2含量、工作压强和溅射功率对薄膜的沉积速率、结构、组分和表面形貌的影响.实验验证了所提出的理论计算模型以及Ni3+的存在;得到了膜厚与晶型以及工作压强与形貌的关系;电化学测试结果为:在电流密度为8 mA/cm2时的过电势为284 mV.
氧化铁镍、反应磁控溅射
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O484.1(固体物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划2003CB214501;北京交通大学校科研和教改项目48010
2007-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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392-395