LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与Fermi分布

摘要：

分析了LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与电子束能量分布.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,加速电压为30 kV,通过双曲凹面加速器维纳尔(外敷碱土金属氧化物盖)使电子送达Si片靶心(置于光栏前),讨论了维纳尔的电子轨迹与电子枪发射电子的Fermi分布,给出了测量LaB6电子枪分辨率的方法.与考虑了系统像差影响的理论计算结果进行比较,两者的最后结果基本一致.

关键词：电子束、散射、近轴轨迹、失真、分布

所属期刊栏目：18

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90307003;山东省自然科学基金03B53

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：385-388