双缺陷光子晶体禁带结构特性研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1005-0086.2006.12.021

双缺陷光子晶体禁带结构特性研究

引用
用特征矩阵法研究了带有双缺陷的一维光子晶体的禁带结构特性.由于两缺陷间存在相互作用,其禁带结构的性质受到两缺陷间隔光学厚度及缺陷层折射率的影响.定义了描述两缺陷间相互作用强弱的关联系数,进而分析了关联系数与两缺陷层间相隔光学厚度及缺陷层折射率的关系.通过数值计算和计算机模拟,确定了光子晶体结构的特征间隔光学厚度.

双缺陷一维光子晶体、关联系数、特征间隔光学厚度

17

O483(固体物理学)

2007-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1497-1501

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光电子.激光

1005-0086

12-1182

17

2006,17(12)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn