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10.3321/j.issn:1005-0086.2006.12.011

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

引用
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜.X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量.低温(10 K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力.原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108 cm-2.

GaN、氢化物气相外延(HVPE)、低温AlN插入层

17

TN304.055(半导体技术)

国家高技术研究发展计划863计划2002AA305304;CNRS/ASC18152;上海市自然科学基金05ZR14139;国家自然科学基金055207043

2007-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1453-1456

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光电子.激光

1005-0086

12-1182

17

2006,17(12)

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