采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

摘要：

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜.X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量.低温(10 K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力.原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108 cm-2.

关键词：GaN、氢化物气相外延(HVPE)、低温AlN插入层

所属期刊栏目：17

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA305304;CNRS/ASC18152;上海市自然科学基金05ZR14139;国家自然科学基金055207043

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1453-1456