中频脉冲磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜

摘要：

采用中频磁控溅射工艺,以2%的Al掺杂的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜,系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响,并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍.获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4 Ω·cm,载流子浓度为4.9×1020 cm-3,霍尔迁移率为56 cm2/V·s,可见光范围内(400～800 nm)的平均透过率大于85%.

关键词：中频磁控溅射、ZnO:Al(ZAO)薄膜、衬底温度

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202;天津市自然科学基金043604911;天津市科技发展基金06YFGX02100

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1427-1431