MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试

摘要：

设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度.

关键词：MS/RF、CMOS工艺、深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)、器件模拟

所属期刊栏目：17

分类号：TN366(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA312240;2003AA312040;国家自然科学基金60536030

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1413-1417