10.3321/j.issn:1005-0086.2006.12.002
MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试
设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度.
MS/RF、CMOS工艺、深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)、器件模拟
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TN366(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA312240;2003AA312040;国家自然科学基金60536030
2007-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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