1550 nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

摘要：

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55 μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7.的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%.对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度.对一腔长800 μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB.而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB.

关键词：半导体光放大器(SOA)、InGaAsP、增益、抗反射膜

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分类号：TN722(基本电子电路)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA312090;国家重点基础研究发展计划973计划G2000036606;国家自然科学基金602250011

在线出版日期：2006-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1157-1160