Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响

摘要：

在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的VN和VGa缺陷态有关.

关键词：分子束外延(MBE)、Ⅲ/Ⅴ比、二维生长、光致发光(PL)谱

所属期刊栏目：17

分类号：TN304.2+3(半导体技术)

资助基金：CNRS/ASC合作项目18152;国家高技术研究发展计划863计划2002AA315304;国家自然科学基金052R14139;国家自然科学基金055207043

在线出版日期：2006-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：958-962