10.3321/j.issn:1005-0086.2006.08.005
MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化
研制了一种基于ITO/PEDOT/P-PPV/MEH-PPV/PFO/Ba/Al的多层结构器件,实现MEH-PPV发光峰的窄化和红移.该器件使MEH-PPV发射峰的半高宽(FWHM)由纯MEH-PPV单层的91 nm减小到32 nm,发光峰相对于MEH-PPV单层的582 nm红移了20 nm,相应的色坐标(CIE1931)由单层的(0.56,0.33)变为(0.62,0.38).这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应.
电致发光(EL)、聚合物多层、半高宽(FWHM)、红移
17
TN383+.1(半导体技术)
中国科学院资助项目90201023;华南师范大学校科研和教改项目843200
2006-09-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
922-925