电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

摘要：

研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响.结果表明,在300～1100 nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大.并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2 nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808 nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3.

关键词：非晶硅(a-Si)、光谱椭偏仪、折射率、消光系数、半导体激光器

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分类号：O484.1;O484.4+1(固体物理学)

资助基金：国家研究发展基金G200068302;北京市科委科研项目D0404003040221;北京市教委科研项目KM200310005009

在线出版日期：2006-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：905-908