基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触

摘要：

提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极.在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500 ℃、O2气氛中退火3 min,获得了80 %的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4 Ω·cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8 nm.俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用.

关键词：GaN、欧姆接触、Ni/Ag/Pt、俄歇电子能谱(AES)

所属期刊栏目：17

分类号：TN312(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60223001；60244001；60290084;国家重点基础研究发展计划973计划G2000-03-6601;高比容电子铝箔的研究开发与应用项目2001AA313130；2004AA31G060;北京市科委科研项目D0404003040321

在线出版日期：2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：650-653