射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜.采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构.采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能.发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度.

关键词：SiC薄膜、磁控溅射、工艺参数、光致发光

所属期刊栏目：17

分类号：O484.4+1(固体物理学)

资助基金：天津市功能材料与器件物理重点实验室基金;Tianjin Natural Sci. Found023801611

在线出版日期：2006-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：558-563