InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

摘要：

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响.结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高.进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差.因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制.

关键词：GaN、伏安特性、发光二极管(LED)、金属有机物化学气相淀积(MOCVD)

所属期刊栏目：17

分类号：TN303;TN304(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60506012;北京市教委科技发展计划项目KZ200510005003;北京工业大学校科研和校改项目52002014200403

在线出版日期：2006-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：517-521