自旋对SiC半导体二维磁极化子基态能量的影响

摘要：

应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SiC半导体性质的影响.基态能量E+0(对应于电子自旋量子数为正)和E-0(对应于电子自旋量子数为负)都随磁场增加而线性减少:在0 T时,E+0和E-0都为-76.24 meV;在25 T时,E+0和E-0分别为-68.50 meV和-71.39 meV.自旋能量与E+0和E-0之比P+0和P-0都随磁场增加而快速增加:在0 T时,P+0和P-0都为0;在20 T时,P+0为0.627;在25 T时,P-0为0.453.自旋能量与Landau基态能量之比P2始终为0.23.自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加:在0 T时,P1和P3都为0;在5 T时,P3为0.628;在40 T时,P1为0.306.这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等.

关键词：SiC、半导体、电子自旋、弱耦合二维磁极化子、基态能量

所属期刊栏目：17

分类号：O471.3(半导体物理学)

资助基金：教育部科学技术研究项目Y2003A01

在线出版日期：2006-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：248-252