纳米硅颗粒在多孔氧化铝中的光致荧光特性

摘要：

采用阳极氧化方法制备了多孔硅(PS),经过超声波充分粉碎PS层得到分散的Si纳米颗粒(n-Si),利用高速离心旋转方法将n-Si镶嵌到多孔氧化铝(Al2O3)模板中,得到n-Si/Al2O3复合体系.研究了PS、分散的n-Si和n-Si/Al2O3的荧光(PL)光谱性质,观察到n-Si极强的蓝紫光发射.结果表明,在Al2O3模板中的n-Si,比起PS和丙酮中的发光峰值波长向短波方向"蓝移",而且半峰全宽(FWHM)也相对变窄.实验现象表明,量子限制效应(QCE)对样品的PL性质有重要作用,并用QCE对样品的发光"蓝移"现象进行了解释.

关键词：多孔硅(PS)、硅纳米颗粒(n-Si)、多孔氧化铝(Al2O3)、量子限制效应(QCE)

所属期刊栏目：17

分类号：TN383+.2(半导体技术)

资助基金：曲阜师范大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：94-97