带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器

摘要：

采用电子束蒸发和键合技术,制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器.用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型(RCE)金属-半导体-金属(MSM)光电探测器,响应峰值波长分别在836、900、965和1 030 nm处,其中在900 nm处峰值半高宽为18 nm.该器件具有波长选择特性,可有效抑制相邻频道间的串扰,而且容易制成集成面阵.

关键词：Si光电探测器、谐振腔、键合

所属期刊栏目：17

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：福建省青年科技人才创新基金2004J021

在线出版日期：2006-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：62-64