发光二极管中负电容现象的机理

摘要：

为解释发光二极管(LEDs)中的负电容(NC)现象,提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型,首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式.理论结果表明,在一定的范围内激活区载流子复合速率越大,LEDs中的NC效应越显著,这与实验结果完全一致.它表明,LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的,而非外部原因造成.

关键词：发光二极管(LEDs)、负电容(NC)、连续性方程

所属期刊栏目：17

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60376027

在线出版日期：2006-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8