发光二极管中负电容现象的实验研究

摘要：

对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究.实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象.电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因.测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显.

关键词：发光二极管(LEDs)、正向交流(a.c.)特性、负电容(NC)、电压调制发光(VMEL)

所属期刊栏目：17

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60376027

在线出版日期：2006-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

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