射频磁控溅射ITO薄膜中沉积温度对膜特性影响

摘要：

采用射频磁控溅射的方法,在溅射过程中改变沉积温度以提高铟锡氧化物(ITO)薄膜的电学和光学特性.采用扫描电镜(SEM)分析了ITO薄膜的表面形貌,发现ITO薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大.经过后续退火,ITO薄膜的电学特性得到了较大的提高.在溅射条件为工作气压1 Pa、衬底温度200 ℃和输入功率200 W沉积的样品经过300 ℃真空退火2 h获得了12.8 ×10-4 Ω·cm的低电阻率和800 nm波段94%的高透过率.

关键词：铟锡氧化物(ITO)、电阻率、磁控溅射、退火

所属期刊栏目：16

分类号：TK51(特殊热能及其机械)

资助基金：北京市自然科学基金2041002

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1429-1432