10.3321/j.issn:1005-0086.2005.10.020
垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO2胶体晶体
报道了一种利用直径为286 nm的单分散SiO2胶体颗粒制备胶体晶体的方法.乙醇悬浮中的SiO2颗粒通过毛细作用力在垂直插入其中的GaAs衬底表面自组装成胶体晶体.扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计对胶体晶体的形貌和光学特性进行了表征.结果显示,所得到的胶体晶体膜具有较好的三维有序结构.分析了退火对样品光子带隙的影响.
蛋白石、胶体晶体、光子带隙、垂直沉积法、GaAs
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O484.1(固体物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划5130702
2005-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1223-1226