垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO2胶体晶体

摘要：

报道了一种利用直径为286 nm的单分散SiO2胶体颗粒制备胶体晶体的方法.乙醇悬浮中的SiO2颗粒通过毛细作用力在垂直插入其中的GaAs衬底表面自组装成胶体晶体.扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计对胶体晶体的形貌和光学特性进行了表征.结果显示,所得到的胶体晶体膜具有较好的三维有序结构.分析了退火对样品光子带隙的影响.

关键词：蛋白石、胶体晶体、光子带隙、垂直沉积法、GaAs

所属期刊栏目：16

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划5130702

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1223-1226