采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构

摘要：

采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究.结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计材料的结构变化;即使是同一种材料,恒定光电导谱(CPM)和PDS的测试结果是不同的,PDS能更准确地反映材料的实际信息.综合PDS和喇曼谱的测试结果认为,制备出了高质量的微晶Si(μc-Si)薄膜.

关键词：微晶Si(μc-Si)薄膜、喇曼光谱、光热偏转谱(PDS)

所属期刊栏目：16

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202,G2000028203;教育部科学技术研究项目02167;国家自然科学基金2002DFG00051;国家高技术研究发展计划863计划2002303261

在线出版日期：2005-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：167-170