GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器

摘要：

报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱吸收层而形成,解决了GaAs系材料只能对短波长光响应的问题,实现了GaAs基探测器对长波长光的响应.该器件在峰值响应波长1 296.5 nm处获得了17.4%的量子效率,响应谱线半宽为11 nm,零偏置时的暗电流密度8.74×10-15 A/μm2,具有良好的暗电流特性.通过RC常数测量计算得到器件的3 dB带宽为4.82 GHz.

关键词：谐振强增强型(RCE)光探测器、GaAs/GaInNAs、多量子阱

所属期刊栏目：16

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：国家"847"计划2001AA312290

在线出版日期：2005-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：159-163