适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

摘要：

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析.研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486 nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜.

关键词：ZnO薄膜、射频磁控溅射、声表面波(SAW)器件、退火、C轴取向

所属期刊栏目：16

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60276001;天津市自然科学基金023601711

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：28-31