平面光波回路用均匀折射率厚SiO2膜制备技术研究

摘要：

通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO2薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到:多孔硅氧化形成的SiO2膜厚度达到13μm且厚度均匀;折射率为1.444 8;折射率不均匀度小于0.0‰.

关键词：硅基二氧化硅、阳极氧化、光波导、折射率

所属期刊栏目：15

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000036602;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312260;国家自然科学基金69889701

在线出版日期：2005-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：186-187