10.3321/j.issn:1005-0086.2004.z1.052
低双折射系数的硅基二氧化硅波导制备与数值分析
采用非传统工艺制备了硅基二氧化硅光波导,制备的波导侧向存在一硅层.利用有限元法(FEM)从理论上分析了侧向硅层存在时的硅基二氧化硅光波导的应力分布,并采用全矢量隐含迭代法束传播法(ADI-BPM)对制备的光波导双折射系数进行计.结果表明,侧向硅层的存在可平衡硅基二氧化波导在水平方向与垂直方向的应力,减小这两个方向上的应力差,有助于减小硅基二氧化硅光波导的应力双折射.
硅基二氧化硅、光波导、制备工艺、应力、双折射、数值分析
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TN3(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划G2000036602;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312260;国家自然科学基金69889701
2005-05-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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