10.3321/j.issn:1005-0086.2004.10.011
10%占空比大功率半导体激光器线阵列
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939.5 nm,光谱的半高全宽(FWHM)为2.3 nm,在400 μs、250 Hz的输入电流下,输出峰值功率达到65 W(75 A),斜率效率高达1 W/A,阈值电流密度为185 A/cm2,最高转换效率可达42%.
半导体激光器(LD)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)、单量子阱、线阵列
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TN284(光电子技术、激光技术)
河北省自然科学基金603080
2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1178-1180