中频溅射技术沉积镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光

摘要：

用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2 cm×2 cm),在室温下检测到薄膜的位于1 535 nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响.扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少.实验结果表明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850 ℃,对各种实验结果给出了理论的解释.

关键词：中频溅射、Yb3+/Er3+共掺、光致发光光谱、退火

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分类号：TN383+.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69889701;辽宁省科技厅资助项目20022110;辽宁省教育厅资助项目202123198

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1162-1165,1180