一种高工作频率、低相位噪声的CMOS环形振荡器

摘要：

采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90°的正交输出时钟,芯片采用台湾TSMC 0.18 μm CMOS工艺.测试结果表明,振荡器在5 GHz的工作频率上,在偏离主频10 MHz处相位噪声可达-89.3 dB/Hz.采用1.8 V电源电压时,电路的功耗为50 mW,振荡器核芯面积为60 μm×60 μm.

关键词：电压控制振荡器(VCO)、CMOS、环形振荡器、相位噪声

所属期刊栏目：15

分类号：TN752(基本电子电路)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA312060

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1141-1143