硅纳米颗粒和多孔硅的荧光光谱研究

摘要：

采用不同氧化电流密度制备多孔硅,利用超声波粉碎多孔硅层得到硅纳米颗粒,研究了多孔硅和硅纳米颗粒的荧光光谱性质.结果表明,随着氧化电流密度的增加,多孔硅的发光峰值波长向短波方向"蓝移".硅纳米颗粒相对多孔硅发光强度提高,峰值波长也发生"蓝移",观察到硅纳米颗粒极强的蓝紫光发射(≈400 nm)现象.表明量子限制效应和表面态对多孔硅和硅纳米颗粒的PL性质有重要作用,并用量子限制效应-发光中心模型对实验现象进行了解释.

关键词：多孔硅、硅纳米颗粒、量子限制效应、发光中心

所属期刊栏目：15

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y2002A09

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1113-1117