一种新结构中ZnSe薄膜电致发光特性研究

摘要：

用电子束蒸发的方法制备了一种新的ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al薄膜电致(TFEL)发光器件.在交流电压驱动下,其有2个发光峰,分别位于466 nm和560 nm.通过研究器件(PL)激发(PLE)谱、光致发光、EL发光以及EL发光强度随驱动电压和频率的变化发现,器件的发光来源于ZnSe的带边发射和自激活发光中心.器件的发光机理与一般的无机电致发光有所不同.这里,SiO2作为电子加速层,ZnSe作为发光层,电子在SiO2层中的高电场作用下被加速到很高的能量,然后直接碰撞激发ZnSe分子使其发光.这种发光现象被称为固态类阴极发光.

关键词：ZnSe、加速、带边发射、自激活发光

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分类号：O484.4+1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10374001;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314707;高等学校博士学科点专项科研项目20020004004;北京市自然科学基金203201550077015

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1046-1049