大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究

摘要：

报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50 A/cm-2,±3 V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D-IC)中三维只读存储器(3D-ROM)的要求.文中介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件,并讨论了本征层材料厚度和微结构、界面匹配、电极材料等因素对二极管正、反向电流特性的影响.

关键词：非晶硅薄膜、二极管、大电流、高开关比

所属期刊栏目：15

分类号：TN311+.5(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202,G2000028203;教育部科学技术研究项目02167;国家国际合作项目2002DFG00051,023100711;天津市光重点实验室基金

在线出版日期：2004-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：640-644,653