VHF-PECVD低温高速生长的硅薄膜材料特性研究

摘要：

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法,在保持其它参量不变的条件下,通过改变SiH4浓度(SC)成功地制备了一系列Si基薄膜样品.对材料特性的测试结果表明,同射频PECVD相比VHF-PECVD技术提高了薄膜的沉积速率,并且SC大相应的沉积速率也大;微区Raman谱测试计算结果表明,样品的晶化率(Xc)随SC的逐渐增大而减小;X射线衍射(XRD)测试结果计算显示,样品的晶粒尺寸在20～30 nm之间原子力显微镜(AFM)和微区Raman谱测试分析结果一致表明,过渡区在SC在6%～8%之间;激活能测试结果表明,制备出接近本征的微晶Si材料.

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)、氢化微晶硅(μc-Si:H)、微区Raman散射谱、过渡区

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分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202,G2000028203;教育部科学技术研究项目02167;国家高技术研究发展计划863计划2002303261

在线出版日期：2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：507-511