10.3321/j.issn:1005-0086.2003.12.013
用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工
为利于与微电子加工工艺相结合,基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线.偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素.在温度(20 ℃)、相对湿度(30 %)和氧气浓度(20 %)基本保持不变的情况下,在不同的偏置电压和扫描速度下加工了5 μm长的Ti氧化线,研究了不同偏置电压和扫描速度对Ti氧化线加工特性的作用,在偏置电压8 V和扫描速度0.1 μm/s条件下得到了比较理想的长Ti氧化线.
AFM阳极氧化、Ti氧化线、偏置电压、扫描速度
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TN16(真空电子技术)
教育部天津大学-南开大学合作项目
2004-02-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1296-1298