10.3321/j.issn:1005-0086.2003.12.008
SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin探测器的研制
给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程.对制得的样管进行了典型光电参数的测试.测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4~1.3 μm,峰值响应波长在0.93~0.97 μm,峰值波长下响应度达0.38 μA/μW,与Si光电探测器相比,出现明显的响应波长范围和响应峰值波长红移,光电性能达到了预先的设计目标.
横向、SOI、近红外Si0.8Ge0.2/Si pin光电探测器
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TN215(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金69836020;国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311905
2004-02-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1277-1280