用相干刻蚀制作大面积的二维纳米阵列

摘要：

采用多级激光扩束获得大面积的均匀光场分布,利用相干刻蚀(IL)技术,制作了大面积(3.23 cm2)的二维(2D)周期阵列结构,如光栅和栅格,并以此阵列制备出空间周期为300 nm的金属Ag、Au和磁性材料Ni的点阵结构.

关键词：相干刻蚀(IL)、纳米阵列

所属期刊栏目：14

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金6998700269978015

在线出版日期：2003-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1054-1057