980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs大功率LDs模式特性研究

摘要：

针对目前大功率980 nm量子阱半导体激光器(LDs)为降低阈值电流而要求激射条宽窄、腐蚀深度深而造成的P-I曲线扭折、侧向模式不稳定问题采用有效折射率近似方法进行模拟分析,并得到了实验上的证实.通过采用不对称波导及双量子阱结构,制备了低阈值(19 mA)模式稳定的InGaAs/GaAs/AlGaAs LDs,其斜率效率0.6 W/A(8 μm×500 μm,未镀膜器件),在输出功率达到100 mW时保持横模、侧模的稳定.

关键词：侧模、稳定性、有效折射率近似

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分类号：TN248.8(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683-02;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312070;国家自然科学基金69889601;北京市自然科学基金4032007,4021001;北京市科委科技攻关项目99270603

在线出版日期：2003-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1011-1014