MOCVD生长1.06 μm InGaAs/GaAs量子阱LDs

摘要：

用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量.PL结果表明,10 s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好.该量子阱应用于1.06 μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100 μm×1 000 μm)有低阈值电流密度(110 A/cm2)和高的斜率效率(0.256 W/A,per.facet).

关键词：应变量子阱、MOCVD、半导体激光器(LD)

所属期刊栏目：14

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：590-593