深度调制下VCSELs典型结构参数的研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1005-0086.2003.06.003

深度调制下VCSELs典型结构参数的研究

引用
通过构建垂直腔表面发射半导体激光器(VCSELs)的动态仿真模型,研究了有源层孔径和厚度对VCSELs大信号深度调制特性的影响.仿真结果表明,在大信号调制下,较小的有源层孔径和厚度对系统的非线性效应显现出更好的抑制能力,而且具有更高的调制带宽;合理地控制有源层孔径和厚度可以抑制系统的非线性行为,提高调制带宽.

垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)、有源层、调制度

14

TN248.4(光电子技术、激光技术)

国家自然科学基金10174057;国家重点实验室基金02KF

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

562-565

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光电子.激光

1005-0086

12-1182

14

2003,14(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn