应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAl)0.5P/GaAs大功率激光二极管

摘要：

生长了InGaAsp/InGaP/In(AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器,发光波长780 nm.利用电化学C-V表征材料掺杂,掺杂浓度达1018 cm-1.利用荧光PL及EL表征其光学性质.PL峰为765 nm.制得100 μm、宽1 mm长条形.测得阈值电流为315 mA,斜率效率超过1 W/A,功率转换可达40 %左右.注入电流1.5 A,光功率单管输出达到1.2 W.

关键词：激光二极管(LD)、大功率、无Al有源层、MOCVD

所属期刊栏目：13

分类号：TN248.4;TN305(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1226-1229