10.3321/j.issn:1005-0086.2002.11.006
ZnO薄膜制备及其发光特性研究
用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响.通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230 ℃、退火温度为400 ℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380 nm).
ZnO薄膜、磁控溅射、光致发光(PL)
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O484(固体物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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