异常掺杂引起的AlGaInP同型结结构

摘要：

用电化学C-V和I-V特性分析的方法,对Mg掺杂在MOCVD生长AlGaI nP发光二极管(LED)的影响进行了研究.通过电化学C-V分析,确定了在生长结构中Mg掺杂从有源层到GaP窗口层由高到低的情况;用I-V特性分析的方法对器件结构进行了分析,发现了异常的实验结果.同时理论计算得到了同型结(N+-N,P+-P)的势垒高度和空间电荷区的宽度,由此得到了在同型结两侧浓度比不同时的差异,极好的解释了异常的I-V测试结果.

关键词：AlGaInP、发光二极管LED、掺杂、同型结

所属期刊栏目：13

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：578-580