量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究

摘要：

小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后,其P-I特性曲线可能偏离理想的线性区,出现扭折现象,从而会严重影响激光器与光纤的耦合.本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系.通过优化激光器纵向结构设计,采用较窄的有源区,在MOCVD结构生长中用碳作P型掺杂,制造出来的未镀膜激光器在100 mA注入电流下输出光功率50 mW 未出现P-I特性的扭折.

关键词：半导体激光器、P-I特性曲线、扭折

所属期刊栏目：13

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金6989260-06;国家重点基础研究发展计划973计划G2000683-02

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：547-549