10.3321/j.issn:1005-0086.2002.04.003
差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器
在常规液相外延(LPE)系统中,利用差温生长4层激光晶片与Ti、Zn掺杂生长高阻半绝缘InP侧向限制层相结合的方法,制备出了阈值电流约为16 mA、峰值激射波长1.532 μm、单面光输出功率大于4 mW的掩埋异质结激光器.
差温生长法、掩埋异质结、激光器
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
教育部高校骨干教师资助计划教司1999.5
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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