半导体微腔中电偶极子的自发发射

摘要：

由于反射电场的影响,电偶极子在微腔中的自发发射速率不同于自由空间中的自发发射速率.本文采用镜像法计算了理想平面微腔、金属平面镜组成的半导体微腔和由分布布喇格反射镜(DBR)作为谐振腔的垂直发射激光器(VCSEL)中电偶极子的自发发射速率.计算结果表明:由于微腔的调制作用,在某些情况下电偶极子自发发射速率增加,在一定腔长下电偶极子自发发射速率被抑制.

关键词：自发发射速率、半导体微腔激光器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)

所属期刊栏目：13

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金69896260,69937010

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15