10.3321/j.issn:1005-0086.2001.12.011
硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究
为实现OEIC的全Si化,以适应稀土Er发光的宽带隙半导体材料.研究了C-Si基底上注C形成微晶碳化硅(μ c-SiC)的途径.经高浓度注C,在1 100~1 000 ℃ 2 h退火,经X-ray与Raman测试证明可以获得μ c-SiC结构.因为在宽带隙μ c-SiC中能量回传很少,故对Er在波长1.54 μm的室温光致发光是有利的.
离子注入C、退火、微晶碳化硅
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TN305.3(半导体技术)
国家自然科学基金59972013
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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