硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索

摘要：

本文研究晶格失配较大的Ⅲ-Ⅴ族化合物向Si基底转移薄层的技术,为此制备了Si/SiO2/Si结构的应力缓冲衬底.利用智能切割(smart-cut)技术制备薄层GaAs并以低温SiO2层过渡与应力缓冲衬底相键合,达到GaAs向Si基底的转移目的.并对结果进行了分析和讨论,认为该技术是可行的. 同时特别强调了低温淀积SiO2层的完美性对最终转移的GaAs薄层的完整性是重要的.

关键词：砷化镓、智能切割、薄层转移

所属期刊栏目：12

分类号：TN304.05(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69976015

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1244-1246