脊形波导激光器中GaInP/AlGaInP选择蚀刻性的研究

摘要：

本文制做了670 nm GaInP/AlGaInP应变层单量子阱脊形波导激光器.为了进一步优化工艺,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了30～50 nm的GaInP蚀刻阻挡层.用此种材料加工而成的腔长1 200 μm、宽64 μm的氧化条激光器的阈值电流密度为340 A/cm2.采用配比为1.0∶2.5的HCl∶H2O溶液对GaInP/AlGaInP进行湿蚀刻研究,得到了较好的选择蚀刻性结果.

关键词：GaInP/AlGaInP、蚀刻阻挡层、选择蚀刻性

所属期刊栏目：12

分类号：TN248.4;TN305.7(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：899-901